台积电首提 1nm A10 工艺，计划到 2030 年实现 1 万亿晶体管的单个芯片封装

据 Tom's Hardware 报道，在本月举行的 IEDM 2023 会议上，台积电制定了提供包含 1 万亿个晶体管的芯片封装路线，这一计划与英特尔去年透露的规划类似。

当然，1 万亿晶体管是来自单个芯片封装上的 3D 封装小芯片集合，但台积电也在致力于开发单个芯片 2000 亿晶体管。

为了实现这一目标，该公司重申正在致力于 2nm 级 N2 和 N2P 生产节点，以及 1.4nm 级 A14 和 1nm 级 A10 制造工艺，预计将于 2030 年完成。

此外，台积电预计封装技术（CoWoS、InFO、SoIC 等）将不断取得进步，使其能够在 2030 年左右构建封装超过 1 万亿个晶体管的大规模多芯片解决方案。

台积电在会议上还透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。